四位知情人士称，三星电子（005930.KS）和SK海力士（000660.KS）正在升级其中国工厂，以生产更先进的存储芯片，满足巨大的人工智能（AI）需求。
三星和SK海力士在声明中证实，升级正在进行，并且是在与美国华盛顿密切磋商下进行的，但没有披露生产计划细节。
据知情人士称，这两家公司正努力在中国工厂生产超过200层的闪存NAND存储芯片，这将使其与韩国本土生产水平一致。
NAND是一种断电后仍能保留数据的存储芯片，广泛用于智能手机、个人电脑和AI数据中心固态硬盘。每颗芯片层数越多，意味着存储密度越高、成本越低。
三星瞄准286层芯片
其中两位知情人士称，三星位于中国西安的工厂约占该公司全球NAND产量的40%，目前生产约200层芯片。
其中一位知情人士称，作为内部代号“Monami”（源自法语“我的朋友”）项目的一部分，三星正将该工厂改造为生产286层V9 NAND芯片，目标是今年12月月产5000片晶圆，到2027年12月跃升至4万片。
三星表示，其升级符合美国出口法规，并补充说：“此次升级旨在满足全球客户（包括美国客户）不断增长的需求。公司没有扩大产能，也没有新建制造设施。”
三位知情人士称，SK海力士正寻求在其位于中国大连工厂转产240层及以上NAND产品。
一位知情人士说，该公司目前在大连生产192层产品。
SK海力士在2021年收购英特尔NAND业务时获得了大连工厂，该工厂仍是该业务唯一的NAND芯片制造基地。该业务现名为Solidigm，正在筹备在美国首次公开募股（IPO）。
其中一位知情人士说，该公司获准在大连生产最高240层的芯片，并可能寻求美国华盛顿许可，在大连研发300层以上芯片，这将有助于其为未来在美国潜在生产奠定基础。该公司正与特朗普政府就美国新建NAND工厂的计划进行讨论。
